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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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209,19 EUR
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Estilo: SSD interno
Número de artículo: 2101363929

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Número de artículo21013639292100717084210043584021009582472100440647
En oferta desde11.03.202519.10.202203.11.202108.08.202321.11.2024
Precio209,19 EUR299,19 EUR542,59 EUR399,69 EUR1.133,09 EUR
Peso9 g8 g7,5 g6 g9,57 g
FabricanteSamsung SemiconductorSamsungWestern JubileeLexarWestern Jubilee
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
SDD, capacidad1 TB2 TB2 TB4 TB4 TB
Factor de forma de disco SSDM.2 M.2 M.2 M.2 M.2
InterfazPCI Express 5.0 PCI Express 4.0 PCI Express 3.0 PCI Express 4.0 PCI Express 3.0
NVMeSi Si Si Si Si
Componente paraPC/ordenador portátil PC NAS PC/Consola de videojuegos NAS
Velocidad de lectura14700 MB/s7450 MB/s3400 MB/s7400 MB/s3400 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s6900 MB/s2900 MB/s6500 MB/s3100 MB/s
Tiempo medio entre fallos1500000 h1500000 h1750000 h1500000 h1750000 h
Ancho80,2 mm80 mm22 mm22 mm22 mm
Profundidad2,38 mm2,3 mm80 mm80 mm80 mm
Altura22,1 mm22 mm2,38 mm2,45 mm2,38 mm
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C

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Descripción:

Descripción:Die Samsung 9100 PRO M.2 1 TB SSD bietet Leistung und Zuverlässigkeit für Speicheranforderungen. Mit einer internen Datenrate von bis zu 14700 MB/s ist diese SSD darauf ausgelegt, die Produktivität zu steigern, und eignet sich ideal für Gamer, Content-Ersteller und Profis, die einen schnellen Datenzugriff benötigen. Der integrierte Kühlkörper sorgt für ein effizientes Wärmemanagement, während Funktionen wie TRIM-Unterstützung und Auto Garbage Collection Algorithm zur Langlebigkeit und Effizienz des Laufwerk
PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, M.2 2280
Kapazität: 1 TB
Datentransferrate: Lesen: 14.700 MB/s, Schreiben: 13.300 MB/s
IOPS: Lesen: 1.850.000, Schreiben: 2.600.000
La unidad SSD Samsung'9100'PRO'NVMe'PCIe'5.0 formato M.'2 con capacidad de almacenamiento de '1'TB está diseñada para usuarios que exigen el máximo rendimiento y fiabilidad en sus sistemas informáticos. Gracias a su interfaz avanzada 'PCI'Express Generación'5 y al protocolo 'NVME, ofrece velocidades ultrarrápidas tanto en lectura como escritura; ideal para entusiastas del gaming, creadores multimedia o profesionales que trabajan con grandes volúmenes o archivos audiovisuales en alta resolución. Su diseño compacto permite una integración sencilla tanto en ordenadores portátiles modernos como equipos sobremesa avanzados. Samsung es líder mundial reconocido por su innovación tecnológica y altos estándares de calidad: sus productos se someten a estrictos controles para garantizar resistencia y larga vida útil incluso bajo cargas exigentes. Además, la empresa apuesta firmemente por la sostenibilidad mediante procesos productivos energéticamente eficientes y políticas responsables sobre el origen y uso sostenible de materiales reduciendo así el impacto ambiental globalmente negativo del sector tecnológico actual. Al elegir el disco duro sólido 'Samsung'9100'PRO'NVME'PCIE'de'1TB no solo accede usted a tecnología puntera sino que también contribuye activamente al bienestar medioambiental apoyando fabricantes comprometidos con un futuro más sostenible para todos.'
N° de fabricante: MZ-VAP1T0BW
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Características

Versión NVMe2.0
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Soporte TRIMSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
SDD, capacidad1 TB
NVMeSi
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
InterfazPCI Express 5.0
Función DevSleepSi
Factor de forma de disco SSDM.2
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Encriptación de hardwareSi
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES

Otras características

Periodo de garantía5 año(s)

Empaquetado

Tipo de embalajeCaja

Control de energía

Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)3,3 mW
Consumo de energía (lectura)7,6 W
Consumo de energía (espera)0,004 W
Consumo de energía (escritura)7,2 W

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G

Peso y dimensiones

Profundidad2,38 mm
Peso9 g
Ancho80,2 mm
Altura80,2 mm

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